一、N-MOS管和P-MOS管的对比
N-MOS管作为防止电路反接方案中，VCC=5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是-49.554mV、-4.955uA。
3.2 电平转换电路
Sig1，Sig2为两个信号端，VDD和VCC分别是3.3V和5.0V电平信号的高电压。
另外限制条件为:
1，VDD <= VCC
2，Sig1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).
3，Vgs <= VDD
4，Vds <= VCC
四、P-MOS开关条件
P-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。
在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在VCC，从而达到控制P-MOS管的开和关的效果，在S极和D极导通后，导通电阻Rds(on)极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。
五、P-MOS的应用
5.1 电源通断控制
P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。
Key开关闭合前，P-MOS管输出电压0.0164V，闭合后，P-MOS管输出电压5V。
但在实际电路中，一般都用MCU的GPIO代替Key开关来控制，同时MCU高电平时3.3V，因此GPIO输出控制信号时需要使用三极管，在这里三极管的选择也有区别。
有时候我们想要一个GPIO控制几个信号时，这就考虑到电平匹配的问题。
5.2 高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
5.3 低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管
