mos管的内部结构(mos原理及作用)

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

mos管的内部结构(mos原理及作用)

栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。

漏极D、源极S及类型判定:用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻,正向电阻约0.2&TImes;10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:

a.若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。

b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。

G极,不用说比较好认。

S极,不论是p沟道还是N沟道,两根线相交的就是;

D极,不论是p沟道还是N沟道,是单独引线的那边,一般散热片与漏极相连

mos管的内部结构(mos原理及作用)

4、MOS管如何快速判断与好坏及引脚性能

mos管的内部结构(mos原理及作用)

1、用10K档,内有15伏电池。可提供导通电压。

2、因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管。

3、利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。

4、大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。

5、大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。

5、看一款国产MOS 管12N10 TO-252 参数配置

国产MOS管 12N10的极限参数(TCASE=25℃):

•漏极-源极电压 VDS:100V

•栅极-源极电压 VGS:±20V

•漏极电流-连续 ID:12A

•功耗 PD:17W

•雪崩能量 EAS:1.2mJ

•存储温度,结温度 Tstg,Tj:-55~+150℃

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